MEMS制造技术

本文摘要：主条目：批量微加工 主条目：热氧化 为了控制微米级和纳米级部件的尺寸经常使用所谓的无蚀刻工艺。如Deal-Grove模型所述这种制造MEMS的方法主要依赖于硅的氧化。热氧化工艺用于通过高精度尺寸控制生产种种硅结构。 包罗光频率梳[24]和硅MEMS压力传感器[25]在内的设备已经通过使用热氧化工艺来微调一维或二维硅结构而生产出来。热氧化在硅纳米线的制造中具有特殊价值硅纳米线被广泛用作机械和电子组件的MEMS系统。

主条目：批量微加工

主条目：热氧化

为了控制微米级和纳米级部件的尺寸经常使用所谓的无蚀刻工艺。如Deal-Grove模型所述这种制造MEMS的方法主要依赖于硅的氧化。热氧化工艺用于通过高精度尺寸控制生产种种硅结构。

包罗光频率梳[24]和硅MEMS压力传感器[25]在内的设备已经通过使用热氧化工艺来微调一维或二维硅结构而生产出来。热氧化在硅纳米线的制造中具有特殊价值硅纳米线被广泛用作机械和电子组件的MEMS系统。

体硅和外貌硅微加工都用于传感器喷墨喷嘴和其他设备的工业生产中。可是在许多情况下这两者之间的区别已经淘汰。

一种新的刻蚀技术即深反映离子刻蚀使联合体微加工和梳状结构的典型性能以及外貌微加工的典型面内操作相联合成为可能。只管在外貌微机械加工中通常具有在2μm规模内的结构层厚度可是在HAR硅微机械加工中厚度可以为10至100μm。只管还建立了用于批量硅片的工艺（SCREAM）但在HAR硅微加工中常用的质料是厚的多晶硅（称为Epi-Poly）和键合绝缘体上硅（SOI）晶圆。通过玻璃粉联合阳极联合或合金联合来联合第二晶片被用于掩护MEMS结构。

集成电路通常不与HAR硅微加工联合使用。

热氧化

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批量微加工

批量微加工是基于硅的MEMS的最古老规范。

硅晶片的整个厚度用于构建微机械结构。[18]使用种种蚀刻工艺来加工硅。

玻璃板或其他硅片的阳极键合可用于添加三维尺寸的特征并举行密封。批量微机械加工对于实现高性能的压力传感器和加速度计至关重要而这种压力传感器和加速度计在1980年月和90年月改变了传感器行业。

外貌微加工

主条目：外貌微加工

高深宽比（HAR）硅微加工

外貌微加工使用沉积在基材外貌上的层作为结构质料而不是使用基材自己。

[23]外貌微机械加工建立于1980年月后期旨在使硅的微机械加工与平面集成电路技术越发兼容其目的是在同一硅晶片上联合MEMS和集成电路。最初的外貌微加工观点基于薄多晶硅层该多晶硅层被图案化为可移动的机械结构并通过牺牲性蚀刻下面的氧化物层来释放。叉指式梳状电极用于发生平面内力并以电容方式检测平面内运动。

这种MEMS规范使制造低成本的加速度计成为可能适用于例如汽车宁静气囊系统和其他性能低和/或高g-规模就足够的应用。ADI公司是外貌微加工工业化的先驱并实现了MEMS与集成电路的集成。

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